闪存速度
推荐
闪存型号
K9DMGY8SCM
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
16
闪存ID
EC1AA8DE88C5
闪存单元
TLC
闪存制程
19nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
16
闪存型号
K9DMGY8SCM
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
16
闪存ID
EC1AA8DE88C5
闪存单元
TLC
闪存制程
19nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
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