闪存速度
推荐
闪存型号
K9DMGY8SCM
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
16
闪存ID
EC1AA8DE88C5
闪存单元
TLC
闪存制程
19nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
16
闪存型号
K9DMGY8SCM
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
16
闪存ID
EC1AA8DE88C5
闪存单元
TLC
闪存制程
19nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
16
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
MT29F128G08AKCAB
PF009
PFF40
H2JTFG8YD3MBR
PF294
NX220
60897-1T00
NW298
PFH01
NW412
PF570
NQ467
NW922
PF338
PF535
TC58NVG5T2ETA00
H27QEG8M2A
PF979
MW763
FBNL7BTXXXXKXXXX
NX496
NW485
NX812
NW325
PF828
H27UBG8T2ATR
NW915
PFF21
KLUGGARHDA
NW598
PF510
NW993
NW750
PF399
PF156
NX449
NX569
NX723
29F16B08LCMF3
K9HFGY8S5M
NQ403
PFG96
PF876
PF283
TH58TFG9EFLBA8C
PF883
NX356
NW145
NW668
PF120