闪存速度

推荐

闪存型号
NX635

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
2CA4E554A900

闪存单元
MLC

闪存制程
16nm L95B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA272

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
16

美光料号
MT29F2T08CVCCBG6-6RES:C

闪存型号
NX635

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
256GB

CE数量
8

闪存ID
2CA4E554A900

闪存单元
MLC

闪存制程
16nm L95B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA272

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
16

美光料号
MT29F2T08CVCCBG6-6RES:C