闪存速度

推荐

闪存型号
NW863

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
256GB

CE数量
4

闪存ID
2CC4E532AA04

闪存单元
MLC

闪存制程
L06B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC:1.8V VCCQ:1.2V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

美光料号
MT29E2T08CUHBBM4-3:B

闪存型号
NW863

闪存品牌
Micron/镁光

闪存容量
256GB

CE数量
4

闪存ID
2CC4E532AA04

闪存单元
MLC

闪存制程
L06B

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC:1.8V VCCQ:1.2V/1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
8

美光料号
MT29E2T08CUHBBM4-3:B