闪存速度
推荐
闪存型号
NW854
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
768GB
CE数量
8
闪存ID
2CCCF932AA04
闪存单元
TLC
闪存制程
B0KB
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
16
美光料号
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B
闪存型号
NW854
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
768GB
CE数量
8
闪存ID
2CCCF932AA04
闪存单元
TLC
闪存制程
B0KB
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
16
美光料号
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NX703
TH58LJT3V24BB8N
TH58LJT2V24BB8N
K9ACGD8S0A
TH58TFT0DFKBA8J
PFG68
NW899
PF012
NX228
PF495
NW138
PF295
JS29F64G08JCND1
NX617
NW924
NW724
NQ306
29F04T4AYCTH2
MT29F128G08CFABB
SDYNQGAMA_008G
NQ382
NX530
PFG79
NW887
PF706
NW911
K9PHGY8S5M
SDTNRGAMA_008GM
PF227
PF347
NQ418
KMRX1000BM-B614
PF29F64G16MCNE2
PF598
PF399
NX888
PF078
PF397
NW556
TH58TAG8D2FBA89
PFC50
K9HFGY8S5M
H25QFT8D4A8R
MT29F128G08AMCDB
NX272
PF487
PF122
PFF39
NW940