闪存速度
推荐
闪存型号
NW278
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
4GB
CE数量
2
闪存ID
2C4800268900
闪存单元
SLC
闪存制程
M62B
闪存类型
NAND
封装类型
BGA100
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
2
美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12Q:B
闪存型号
NW278
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
4GB
CE数量
2
闪存ID
2C4800268900
闪存单元
SLC
闪存制程
M62B
闪存类型
NAND
封装类型
BGA100
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
2
美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12Q:B
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NQ312
TH58LJT1T25BA8H
K9LCGD8U0A
TH58TFG8DDLTA2D
PFF09
NX340
PF059
NW654
TH58LJT2T24BAEG
PFB53
NW808
PFB57
PF578
K9HKGY8S5M
PF180
MT29F256G08CKCAB
PFF99
NX614
TH58TEG7DDKLAKF
NX529
NW718
NW791
K9FAGD8S0M
TH58TEG7EDJBA4C
TH58TFT3T23BAEG
PF510
H27QCG8D2F5R
PFG46
K9UKGB8S7D
NX840
TH58TFG7DFLBA4C
NW506
NQ445
MT29F256G08CMCDB
PF710
PF754
PFE11
TC58TEG8DDKTA20
MT29F64G08CECCB
NX397
TH58TEG7DDLTA00
NX599
PFB37
PF323
PF400
PF521
NX354
NW463
NX756
FW261