闪存速度

推荐

闪存型号
K9KBGD8S1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
4GB

CE数量
2

闪存ID

闪存单元
SLC

闪存制程
32nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
2

闪存型号
K9KBGD8S1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
4GB

CE数量
2

闪存ID

闪存单元
SLC

闪存制程
32nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP/BGA

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
同步模式

Die数量
2