闪存速度
推荐
闪存型号
NW167
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
4GB
CE数量
2
闪存ID
2C4800268900
闪存单元
SLC
闪存制程
M62B
闪存类型
NAND
封装类型
BGA100
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
2
美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12:B
闪存型号
NW167
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
4GB
CE数量
2
闪存ID
2C4800268900
闪存单元
SLC
闪存制程
M62B
闪存类型
NAND
封装类型
BGA100
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
2
美光料号
MT29F32G08AECBBH1-12:B
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
TH58TEG7DDKLAKF
NW779
KLUCG4J1CB
05448-032G
NQ458
FXXL85C71KXXBXN1024
PF569
PF745
KLUFG8RHDB
K9LCGD8U0A
H27QDG8M2BLR
SDYNQFCMM_032G
PFG29
NW171
TH58TEG7D2HTAK0
MT29F32G08AFCBB
NX220
NX583
H27UAG8T2BTR
MT29F128G08EBCD
K9OMGD8H2B
NX268
TC58NVG5T2HTA00
H27Q2T8CQB3R
FXXL95B7XKDBAB_HP
PFH23
H2JTFG8YD1BM
TH58TEG9DBHBA89
NW727
SDTNQFB_016G
NW505
NQ402
PF657
PF856
PF956
K9BDG08U1M
H27QEG8M3M8R
MT29F32G08AEABA
NX172
PF081
NW142
NX352
NY140
NX372
MT29F32G08AFACA
TC58NVG3S0FTA00
H27QDGLUDB
NW689