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闪存型号
K9WAG08U1B
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闪存品牌
Samsung/三星
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闪存容量
2GB
filter_4
CE数量
2
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闪存ID
ECD351950000, ECD351950480, ECD351954600, ECD351955800, ECDC51955800
filter_6
闪存单元
SLC
filter_7
闪存制程
60nm
filter_8
闪存类型
NAND
filter_9
封装类型
TSGP/LGA
filter_1
工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V
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工作模式
异步模式
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Die数量
4
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闪存型号
K9WAG08U1B
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闪存品牌
Samsung/三星
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闪存容量
2GB
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CE数量
2
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闪存ID
ECD351950000, ECD351950480, ECD351954600, ECD351955800, ECDC51955800
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闪存单元
SLC
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闪存制程
60nm
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闪存类型
NAND
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封装类型
TSGP/LGA
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工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V
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工作模式
异步模式
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Die数量
4
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