闪存速度
推荐
闪存型号
K9UMGY8SCM
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
16
闪存ID
EC1A94A664C7
闪存单元
MLC
闪存制程
SSV1
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ3.3V/1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
16
闪存型号
K9UMGY8SCM
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
256GB
CE数量
16
闪存ID
EC1A94A664C7
闪存单元
MLC
闪存制程
SSV1
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC3.3V VCCQ3.3V/1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
16
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PF407
PFG63
PFG64
NX381
NX188
MT29F128G08EBCD
PF137
NW498
NX300
NW332
MT29F1T08CUCAB
NX425
SDTNQFB_016G
PFF91
PF736
TH58TFG8UHLTA2D
PFB55
PFF95
K9ABGD8S0B
NQ184
H27QEG8PQM
NW562
K9QDGD8U5M
PFF14
NX851
NW324
NW764
PF29F64B08QCME1
K9CFGD8U1M
MT29F512G08CUAAA
TH58TEG8TDKTA20
PF29F32B08MCMFS
MX30LMBGX8AA-TI
QUALDIE_16GK05
K9AFGD8H0C
NW670
MT29F256G08CKEDB
NX686
NQ450
PF319
PF758
15106-032G
PF677
SDYNQGBMG_016G
TH58NVG8D2FLA89
PF763
PF201
FW261
NX512