闪存速度
推荐
闪存型号
K9DVGB8J1M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
1TB
CE数量
2
闪存ID
EC529B3F8ECB
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
同步模式(Toggle)
Die数量
16
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封装类型
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