闪存速度
推荐
闪存型号
K9GCGD8S0A
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
8GB
CE数量
1
闪存ID
闪存单元
MLC
闪存制程
闪存类型
NAND
封装类型
TSOP49
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
1
闪存型号
K9GCGD8S0A
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
8GB
CE数量
1
闪存ID
闪存单元
MLC
闪存制程
闪存类型
NAND
封装类型
TSOP49
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
1
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
H25T4TMG8C
PF929
NX747
PF800
MT29E256G08CKCDB
PF805
NW172
PF292
MT29F256G08CKCBB
PF179
PFD05
PFF48
NW534
NQ398
NW408
PFF91
NQ466
MT29F32G08AAMDB
K9FAG08U0M
PFF52
NW927
PF732
PF976
NX172
NX572
NQ141
NX459
NX208
MT29F128G08AMCAB
PF304
PF546
PF903
SDTNRGAMA_008GA
NW199
TH58NVG8DDJTA20
PF596
TH58LJT0V24BA4C
TB8AG5OAUN
NW479
PF29F16B08MCMF2
SDTNRHAMA_016G
FW217
PF634
NW707
PFC13
S34ML01G100TF100
NX399
NW265
PFG13
NX798