闪存速度
推荐
闪存型号
K9DUGY8J5C
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
512GB
CE数量
4
闪存ID
EC5FDAAF8CCD
闪存单元
3D TLC
闪存制程
SSV6
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC：3.3V/2.5V VCCQ：1.8V/1.2V
工作模式
Toggle CER
Die数量
16
闪存型号
K9DUGY8J5C
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
512GB
CE数量
4
闪存ID
EC5FDAAF8CCD
闪存单元
3D TLC
闪存制程
SSV6
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC：3.3V/2.5V VCCQ：1.8V/1.2V
工作模式
Toggle CER
Die数量
16
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PF207
NX826
H27QDG8D2B
FBNL06B256G1KDBABJ4
NX191
05592-256G
TH58TFG9DFKBA8K
NX220
PF852
MT29F512G08CUCBB
PF255
NX668
H2DTEG8VD1MY
NX744
PF053
PF691
FP29F01P2ALCQL1
MT29F16G08CBABA
PF738
PF616
NX858
SDTNQCAMA_008G
NX173
H2JTEG8VD2MB
NW240
K9F1G08U0D
K9OHGY8S7A
PF624
PF820
H25T2TB88E
NX164
NW350
NX403
NW710
SDTNQCBMA_032G
NX516
TH58TFT0T23BADE
NX836
003619-1T00
29F02T2AOCMG4
H27QCG8M2M
NW380
PFG19
NX352
MT29F64G08CFADB
NX598
NW189
SDTNQGAMA_008GP
NW227
PFG15