闪存速度

推荐

闪存型号
K9DUGY8J5C

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
4

闪存ID
EC5FDAAF8CCD

闪存单元
3D TLC

闪存制程
SSV6

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V/2.5V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
Toggle CER

Die数量
16

闪存型号
K9DUGY8J5C

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
4

闪存ID
EC5FDAAF8CCD

闪存单元
3D TLC

闪存制程
SSV6

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V/2.5V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
Toggle CER

Die数量
16