闪存速度
推荐
闪存型号
H27Q2T8CEB9R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
AD3E16AB464A,AD3C16AB464A
闪存单元
MLC
闪存制程
16nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA152
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
异步模式
Die数量
8
闪存型号
H27Q2T8CEB9R
闪存品牌
SKhynix/海力士
闪存容量
256GB
CE数量
4
闪存ID
AD3E16AB464A,AD3C16AB464A
闪存单元
MLC
闪存制程
16nm
闪存类型
NAND
封装类型
BGA152
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
异步模式
Die数量
8
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NQ278
NQ358
MT29F256G08CMAAA
PF447
PF842
TC58NVG0S3ETA0
NW334
NW454
NQ393
NW803
TC58TEG5DCLTA00
SDYNQGDRM_064GUL
K9BFGD8U0D
K9LCG08U1M
PF536
NW926
PF665
PF466
NW767
PF581
PFB63
PFC44
NW150
K9AHGD8S0A
NX485
PF191
NW274
NX681
K9GBG08U0A
NW151
TC58TAG6D2FTA20
PFF22
NX686
NX565
NW993
PF353
PF670
NW903
NW703
SDZNPQCHER_032G
PF317
K9CMGY8J5M
PF29F64B08NCMFH
K9UHG08U8M
NW181
NX152
NX350
K9HFGY8S5A
PF566
PF121