闪存速度
推荐
闪存型号
K9WAG08U1E
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
2GB
CE数量
1
闪存ID
ECD351950000, ECD351955900, ECD3519559EC
闪存单元
SLC
闪存制程
21nm
闪存类型
NAND
封装类型
TSOP48
工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V
工作模式
异步模式
Die数量
2
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