闪存速度

推荐

闪存型号
TH58TEG9DDKBA8H

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
983A95937A50,983A95937AD0

闪存单元
MLC

闪存制程
19nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
8

闪存型号
TH58TEG9DDKBA8H

闪存品牌
Toshiba/东芝

闪存容量
64GB

CE数量
4

闪存ID
983A95937A50,983A95937AD0

闪存单元
MLC

闪存制程
19nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA132

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 3.3V/1.8V

工作模式
同步模式(Toggle)

Die数量
8