闪存速度
推荐
闪存型号
TH58LJT2T25BA8H
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
512GB
CE数量
4
闪存ID
984899037AE4
闪存单元
TLC
闪存制程
BICS5
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
同步模式(Toggle)
Die数量
8
闪存型号
TH58LJT2T25BA8H
闪存品牌
Toshiba/东芝
闪存容量
512GB
CE数量
4
闪存ID
984899037AE4
闪存单元
TLC
闪存制程
BICS5
闪存类型
NAND
封装类型
BGA132
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
同步模式(Toggle)
Die数量
8
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PFC64
MT29F64G08CFAAA
NX741
PF29F08G08LCNC1
PF058
PF575
PF497
FBMM84C91KDUABK8
NW898
NX501
PF251
MT29F32G08AAMDB
NW609
K9LCG08U1M
TH58TEG8DDJTA20
PF337
TC58NVG6T7FLA19
PF811
SDTNQGCMB_032GP
K9UKGY8UCA
SDYNQGCMM_032G
MT29F2T08CVCCB
PF620
THGBX2G7D2JLA01
H27Q1T8PQA2R
NW643
PF504
SDTNRGBMB_016GP
TH58NVG5S2FTA20
MT29F64G08CFACB
K9AAGD8S0A
15146-32G
H27QEGLUDB8R-BCF
PF596
TC58LGB0F24TA0D
JW695
H27UBG8T2A
MT29F16G16ADACA
MT29F4T08EUHAF
PF315
NX838
PF081
NW382
NW785
MT29E128G08CKCBB
PF246
PF367
TH58TEG6DCJTA20
SDZNQFCMM_032G
MT29F64G08CBEDB