闪存速度
推荐
闪存型号
MT29F64G08CBEDB
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
8GB
CE数量
1
闪存ID
2C64643CA504
闪存单元
MLC
闪存制程
20nm L84C
闪存类型
NAND
封装类型
BGA/TSOP
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
1
闪存型号
MT29F64G08CBEDB
闪存品牌
Micron/镁光
闪存容量
8GB
CE数量
1
闪存ID
2C64643CA504
闪存单元
MLC
闪存制程
20nm L84C
闪存类型
NAND
封装类型
BGA/TSOP
工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V
工作模式
同步模式
Die数量
1
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
PF848
MT29F8G08ABABA
NX381
NX144
NX104
TC58NVG6T2HTA00
PF057
NW533
NX813
PF778
TH58TFT0DFKBAEF
NX173
NX295
CD06AC05838
NW400
PF025
NW683
PF189
NW525
PF144
NQ264
H27QCG8D2F
NW720
NW759
PF309
PFC42
JS29F64B08OCME1
PF822
NW391
NW790
NW312
NW477
PF753
YMN08TB1BHU1B
TH58TFT2T23BAEG
NW596
NX486
TH58TEG7DDJTAK0
TH58TFT0V23BA8C
NW359
NW314
K9GCGD8U1C
NW868
NX912
NW706
H27UDG8M2MTR
FBML85C81KDEAB
MT29E512G08CUCDB
PFB39
NW469