闪存速度
推荐
闪存型号
KLUDG4U1EA
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
128G
CE数量
4
闪存ID
EC1C983F84CB
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
闪存类型
UFS2.1(NAND)
封装类型
BGA153
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
4
闪存型号
KLUDG4U1EA
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
128G
CE数量
4
闪存ID
EC1C983F84CB
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
闪存类型
UFS2.1(NAND)
封装类型
BGA153
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V
工作模式
Toggle
Die数量
4
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NW815
15167-64G
PFC22
PF249
FNN25nm81K3MABJ2
PF370
NX144
SDIN5C4_64G
PF850
NX421
NX101
NQ394
PF29F32G16NCNC1
PFF49
K9ADGD8U0M
H2JTCG8T21BM
PF251
NQ348
PFH51
NX693
K9PHGY8S5A
PF984
PF785
NX497
PF462
SDUNCIAMA-128G
PF748
PF226
SDWNRHCRM_064GUF
PF950
K9PFG08U5M
TC58NVG6D2GTA00
PFB26
PF235
PFE03
NW199
NW117
MT29F512G08EBLEE
NW460
NW422
NW345
PF522
PFF78
SDYNBICMM-128G
H27UCG8U5A
PF441
NX635
JS29F32G08ACNE1
NX435