闪存速度
推荐
闪存型号
K9OUGB8J1M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
512GB
CE数量
2
闪存ID
EC519A3F8CCB
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
Toggle CER
Die数量
8
闪存型号
K9OUGB8J1M
闪存品牌
Samsung/三星
闪存容量
512GB
CE数量
2
闪存ID
EC519A3F8CCB
闪存单元
TLC
闪存制程
SSV4
闪存类型
NAND
封装类型
BGA316
工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V
工作模式
Toggle CER
Die数量
8
点击绿色按钮有惊喜哦~
推荐
更多料号
NW339
NX509
NW171
PF29F64B08PCMF1
MT29F128G08TAA
PF055
NX862
PF737
MT29F256G08AKCAB
NW608
TH58TEG8DDJTA20
TH58TEG8THLTA20
PF062
NX531
NW920
PF781
NX337
NX458
NW203
NW489
K9DMGY8SCE
PF828
NQ378
TH58TEG9TDKTA20
PF829
TH58TEG8DDKBA8C
PFG83
SDTNRGAMA_008GP
PF349
TC58NVG4T2EH02
PF944
PF29F08T2AYCTH1
NW194
K9AFGD8H0C
NX964
NW513
003615
PFB35
PF358
TH58LJB4F24BA8K
PF084
H27QFG8PEBLR
NX236
NW189
PF289
PF044
NW468
NX755
TH58TVG8DDJTA80