闪存速度

推荐

闪存型号
K9OUGB8J1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
2

闪存ID
EC519A3F8CCB

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV4

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
Toggle CER

Die数量
8

闪存型号
K9OUGB8J1M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512GB

CE数量
2

闪存ID
EC519A3F8CCB

闪存单元
TLC

闪存制程
SSV4

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC:3.3V VCCQ:1.8V/1.2V

工作模式
Toggle CER

Die数量
8