闪存速度

推荐

闪存型号
K9OHGY8S7A

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
8

闪存ID
ECDE98CE74C4

闪存单元
TLC

闪存制程
21nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V

工作模式
Toggle

Die数量
8

闪存型号
K9OHGY8S7A

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
8

闪存ID
ECDE98CE74C4

闪存单元
TLC

闪存制程
21nm

闪存类型
NAND

封装类型
BGA316

工作电压
VCC3.3V VCCQ1.8V

工作模式
Toggle

Die数量
8