闪存速度

推荐

闪存型号
K9K4G08U0M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512MB

CE数量
2

闪存ID
ECDCC1150000, ECDA80150480, ECDA80151000, ECDCC1154600, ECDA80150680, ECDA80151000, ECDCC11554EC

闪存单元
SLC

闪存制程
90nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP48

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
2

闪存型号
K9K4G08U0M

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
512MB

CE数量
2

闪存ID
ECDCC1150000, ECDA80150480, ECDA80151000, ECDCC1154600, ECDA80150680, ECDA80151000, ECDCC11554EC

闪存单元
SLC

闪存制程
90nm

闪存类型
NAND

封装类型
TSOP48

工作电压
VCC/VCCQ: 3.3V

工作模式
异步模式

Die数量
2