闪存速度

推荐

闪存型号
K9AHGD8H0E

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
1

闪存ID
EC1E981F84C2

闪存单元
TLC

闪存制程
3DV6P

闪存类型
NAND

封装类型
BGA

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
异步模式(Toggle)

Die数量
1

闪存型号
K9AHGD8H0E

闪存品牌
Samsung/三星

闪存容量
64GB

CE数量
1

闪存ID
EC1E981F84C2

闪存单元
TLC

闪存制程
3DV6P

闪存类型
NAND

封装类型
BGA

工作电压
VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式
异步模式(Toggle)

Die数量
1