H27Q2T8LAM9R - SKhynix/海力士 - AD3C19A36225 - Flashinfo

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闪存型号

H27Q2T8LAM9R

闪存品牌

SKhynix/海力士

闪存容量

256GB

CE数量

8

闪存ID

AD3C19A36225

闪存单元

TLC

闪存制程

16nm

闪存类型

NAND

封装类型

BGA152

工作电压

VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

工作模式

同步模式

Die数量

8

美光料号

闪存型号

H27Q2T8LAM9R

闪存品牌

SKhynix/海力士

闪存容量

256GB

CE数量

8

闪存ID

AD3C19A36225

闪存单元

TLC

闪存制程

16nm

闪存类型

NAND

封装类型

BGA152

工作电压

VCC: 3.3V VCCQ: 1.8V

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